沈波：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前
，我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn)
 ：一是國(guó)際政治和經(jīng)濟(jì)環(huán)境急劇變化，技術(shù)封鎖危險(xiǎn)加??；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問(wèn)題亟待解決；三是國(guó)際上已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國(guó)核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破
。

第三代半導(dǎo)體也稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體，包括氮化鎵（GaN） 、碳化硅（SiC）等，有著突出的光電特性。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之一  。美日歐等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)都啟動(dòng)了相關(guān)計(jì)劃，加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局，我國(guó)也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)