沈波：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn)
：一是國際政治和經(jīng)濟(jì)環(huán)境急劇變化
，技術(shù)封鎖危險(xiǎn)加??；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段 ，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破 。

第三代半導(dǎo)體也稱寬禁帶半導(dǎo)體  ，包括氮化鎵（GaN） 、碳化硅（SiC）等
，有著突出的光電特性。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。美日歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都啟動(dòng)了相關(guān)計(jì)劃
，加強(qiáng)對第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局  ，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā) 。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件 ，如半導(dǎo)體照明 、激光顯示等；射頻電子器件
，如移動(dòng)通信基站 、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件，如新能源汽車、智能電網(wǎng)  、高速軌道交通等
。我國“新基建”七大產(chǎn)業(yè)方向，如5G基站 、新能源汽車充電樁 、軌道交通等