沈波
：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn)：一是國際政治和經(jīng)濟(jì)環(huán)境急劇變化，技術(shù)封鎖危險(xiǎn)加劇；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破
。

第三代半導(dǎo)體也稱寬禁帶半導(dǎo)體
，包括氮化鎵（GaN） 、碳化硅（SiC）等，有著突出的光電特性。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一 。美日歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都啟動了相關(guān)計(jì)劃
，加強(qiáng)對第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件，如半導(dǎo)體照明、激光顯示等；射頻電子器件，如移動通信基站、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件，如新能源汽車、智能電網(wǎng)、高速軌道交通等。我國“新基建”七大產(chǎn)業(yè)方向，如5G基站