沈波：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前 ，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn)：一是國際政治和經(jīng)濟(jì)環(huán)境急劇變化 ，技術(shù)封鎖危險(xiǎn)加??；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破。

第三代半導(dǎo)體也稱寬禁帶半導(dǎo)體 ，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等，有著突出的光電特性
。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。美日歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都啟動了相關(guān)計(jì)劃，加強(qiáng)對第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局 ，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件 ，如半導(dǎo)體照明 、激光顯示等；射頻電子器件 ，如移動通信基站 、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件
，如新能源汽車 、智能電網(wǎng) 、高速軌道交通等。我國“新基建”七大產(chǎn)業(yè)方向，如5G基站
、新能源汽車充電樁 、軌道交通等 ，都離不開第三代半導(dǎo)體 。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底
、外延
、設(shè)計(jì) 、芯片 、封測 、應(yīng)用等環(huán)節(jié) 。其中，襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量更加密集 ，是投資和創(chuàng)新的重點(diǎn)
。

以SiC襯底為例