沈波 ：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當(dāng)前，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn) ：一是國際政治和經(jīng)濟(jì)環(huán)境急劇變化
，技術(shù)封鎖危險(xiǎn)加劇；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破 。

第三代半導(dǎo)體也稱寬禁帶半導(dǎo)體，包括氮化鎵（GaN） 、碳化硅（SiC）等，有著突出的光電特性 。第三代半導(dǎo)體是全球技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。美日歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都啟動(dòng)了相關(guān)計(jì)劃 ，加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局，我國也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā) 。

第三代半導(dǎo)體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件
，如半導(dǎo)體照明、激光顯示等；射頻電子器件
，如移動(dòng)通信基站 、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件 ，如新能源汽車