沈波 ：第三代半導體產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)

當前，我國第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要面臨三大挑戰(zhàn) ：一是國際政治和經(jīng)濟環(huán)境急劇變化，技術(shù)封鎖危險加劇；二是產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題亟待解決；三是國際上已進入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段
，我國核心材料芯片產(chǎn)業(yè)化能力亟待突破
。

第三代半導體也稱寬禁帶半導體，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等 ，有著突出的光電特性。第三代半導體是全球技術(shù)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一。美日歐等發(fā)達國家和地區(qū)都啟動了相關(guān)計劃，加強對第三代半導體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)布局 ，我國也高度重視第三代半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)
。

第三代半導體主要應(yīng)用的三大領(lǐng)域分別是光電子器件 ，如半導體照明、激光顯示等；射頻電子器件，如移動通信基站 、衛(wèi)星通訊等；功率電子器件，如新能源汽車 、智能電網(wǎng)、高速軌道交通等。我國“新基建”七大產(chǎn)業(yè)方向 ，如5G基站、新能源汽車充電樁